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Dehydratation von GaPO4 bei hohen Temperaturen |
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D. Klimm, K. Jacobs, P. Hofmann, Institut für Kristallzüchtung, Max-Born-Str. 2, 12489 Berlin
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Kristalle von Galliumorthophosphat
GaPO4 können aus heißen phosphorsauren Lösungen unter Normaldruck oder auch unter hydrothermalen Bedingungen im Autoklaven gezüchtet werden; erreichbare Kristallgröße und -perfektion sind derzeit jedoch noch unbefriedigend. Das Material ist wegen seiner
piezoelektrischen Eigenschaften unter anderem als potentieller Drucksensor interessant. Die bei
Raumtemperatur stabile Kristallstruktur kann von der des Tiefquarzes (low quartz,
lQ) dadurch abgeleitet werden, dass Si-Atome alternierend durch Ga und P
ersetzt werden. Wie im Quarz bilden Ga- und P-zentrierte Sauerstoff-Tetraeder folglich Schrauben entlang der
c-Achse. Anders als Quarz zeigt GaPO4 jedoch keine Phasenumwandlung in eine dem Hochquarz analoge Modifikation; erst bei ca. 1000°C findet Transformation in eine dem Hoch-Cristobalit
(hC) analoge Struktur statt. Die Anwendbarkeit von mit GaPO4 arbeitenden Drucksensoren dürfte sich somit über einen wesentlich größeren Temperaturbereich erstrecken als die konventioneller Quarz-Sensoren. Außer
lQ und hC wird als dritte Phase unter geeigneten Umständen noch eine dem Tief-Cristobalit
(lC) analoge Struktur beobachtet1.
Das Beispiel zeigt, dass für das Verständnis der Ergebnisse von QMS-Messungen die möglichst quantitative Beschreibung der relevanten chemischen Gleichgewichte zwischen entweichenden Gasen und Tiegel- und/oder Skimmer-Material hilfreich ist.
Oben: DTA (Kurve mit Messpunkten) und TG von 71.22 mg GaPO4 (Kristall).
Literatur:
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